【公开课】电路与电子学(一)台湾清华大学(模拟电路 电子线路)

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正在播放:1.1-1 半导体材料;半导体性质 最近更新时间:2023-06-27 01:37 上传时间:2023-06-25 16:40:49 观看:15858人

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简介:【公开课】电路与电子学(一)- 台湾“清华大学”(模拟电路_电子线路)
  • 1.1-1 半导体材料;半导体性质

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  • 2.1-2 半导体性质;本征和非本征半导体

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  • 3.1-3 本征和非本征半导体;杂质掺杂

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  • 4.1-4 杂质掺杂

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  • 5.2-1 杂质掺杂;质量-作用定律

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  • 6.2-2 漂移扩散电流;流动性

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  • 7.3-1 漂移扩散电流;流动性

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  • 8.3-2 漂移扩散电流;导电率

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  • 9.3-3 温度系数;杂质&晶格散射

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  • 10.3-4 漂移和扩散电流-概率;PN结

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  • 11.4-1 空间电荷区;内置的势垒

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  • 12.4-2 反向偏置的PN结;正向偏压PN结;理想的电流电压关系

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  • 13.5-1 PN结反向偏置和正向偏置;理想电流电压关系

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  • 14.5-2 理想电流电压关系;开启电压

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  • 15.5-3 雪崩击穿;齐纳击穿

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  • 16.5-4 齐纳击穿;峰值反向电压(PIV)

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  • 17.6-1 二极管电路,直流分析及模型;图形化分析

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  • 18.6-2 二极管电路,直流分析及模型;迭代分析

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  • 19.7-1 二极管电路,直流分析及模型;近似法 分段线性法

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  • 20.7-2 分段线性法;理想二极管模型

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  • 21.7-3 基尔霍夫电压定律(KVL);基尔霍夫电流定律(KCL);分压器

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  • 22.7-4 等效电路;分压器 ;分流器

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  • 23.8-1 节点分析; 网格分析

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  • 24.8-2 网格分析

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  • 25.9-1 叠加定理

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  • 26.9-2 塞文宁定理; 终端等效

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  • 27.9-3 二极管电路及交流分析 ;均方根值

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  • 28.9-4 整流电路 ;半波整流电路 全;波整流电路

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  • 29.10-1 整流电路; 电压转移特性(VTC); 半波整流电路

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  • 30.10-2 半波整流电路

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  • 31.11-1 半波整流电路 ;全波整流电路

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  • 32.11-2 全波整流电路

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  • 33.11-3 全波整流电路 ;桥式整流电路

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  • 34.11-4 全波整流电路 ;桥式整流电路; 电容和电容器

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  • 35.12-1 电容和电容器; 介电常数; 例子

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  • 36.12-2 并联和串联电容 ;过滤器 正反馈循环 ;过滤器 负反馈循环

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  • 37.13-1 过滤器 正反馈循环 ;过滤器 负反馈循环 ;纹波电压 半波和全波

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  • 38.13-2 半波和全波 ;量化纹波电压

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  • 39.13-3 量化纹波电压;全波整流 ;桥式整流器

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  • 40.13-4 二极管交流等效电路 ;小信号模式和大信号模式

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  • 41.14-1 二极管交流等效电路 ;二极管小信号模式

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  • 42.14-2 稳压二极管(击穿二极管); 稳压二极管直流模型 ;稳压调节器

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  • 43.15-1 稳压调节器 ;齐纳二极管模型; 线路负载调整率

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  • 44.15-2 线路 负载调整率 ;例子 稳压调节器

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  • 45.15-3 例子 稳压调节器

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  • 46.15-4 例子 稳压调节器

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  • 47.16-1 例子 稳压调节器

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  • 48.16-2 例子 稳压调节器 ;环行路线

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  • 49.17-1 环行路线; 单相半波整流电路电路 ;二极管模型和VTC

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  • 50.17-2 双限限幅器 ;例子

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  • 51.18-1 环行路线; 例子 二极管模型和VTC ;峰值检波器

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  • 52.18-2 峰值检波器 ;钳位电路

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  • 53.18-3 数字电路; Multiple-diode电路

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  • 54.18-4 Multiple-diode电路 ;例子

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  • 55.19-1 场效应管(金属氧化物半导体) ;如何工作(MOSFET)

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  • 56.19-2 MOSFET的基本性质 ;NMOS&PMOS ; MOSFET的

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  • 57.20-1 MOSFET的基本性质; NMOS&PMOS ;增强型 ;耗尽型

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  • 58.20-2 电流-电压特性曲线 ;夹断; MOS三极管区

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  • 59.20-3 增强和耗尽模式 ;NMOS和PMOS的符号 ;电流-电压特性曲线

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  • 60.20-4 电流-电压特性曲线; VGS与VTN的关系; 三极管饱和区

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  • 61.21-1 i-v特性曲线;vgs & vtn(三极管区)

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  • 62.21-2 氧化物厚度;介电常数;i-v特性曲线;三极管区和饱和区

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  • 63.22-1 金属氧化物半导体 公式推导;ID和VDS之间的关系;三极管饱和区

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  • 64.22-2 MOS特性总结;MOS I-V特性曲线;例子 增强型NMOS

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  • 65.22-3 例子 增强型NMOS;早期效应(信道长度调制) ;输出电阻

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  • 66.22-4 早期效应(信道长度调制); 早期的电压; 输出电阻; 例子 增强

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  • 67.23-1 阈下的传导 ;击穿 pn结 ;击穿 击穿现象

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  • 68.23-2 击穿 氧化层击穿;体效应

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  • 69.24-1 例子 体效应; 温度对VTN的影响 ;其他类型MOS的I V特性

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  • 70.24-2 其他类型MOS的I V特性 ;负反馈;

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  • 71.24-3 e PMOS的属性; d PMOS的属性

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  • 72.24-4 例子 e-PMOS; 概述 NMOS和PMOS

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  • 73.25-1 概述 NMOS和PMOS;概述 e-NMOS和d-NMOS

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  • 74.25-2 例1 MOS直流分析(e-NOMS) ;例2 MOS直流分析

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  • 75.26-1 例4 MOS直流分析; 例5 MOS直流分析(e-PMOS)

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  • 76.26-2 例6 MOS直流分析

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  • 77.26-3 例9 MOS直流分析(e-NOMS) ;例10 MOS直流分析

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  • 78.27-1 例12 MOS直流分析(NMOS-PMOS) ;互补金属氧化物半

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  • 79.27-2 互补金属氧化物半导体(CMOS) ;CMOS逻辑门设计; CMO

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  • 课程介绍

    振南知波

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